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IRF7205PBF中文资料PDF规格书

IRF7205PBF
厂商型号

IRF7205PBF

功能描述

Adavanced Process Technology

文件大小

278.95 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-13 16:10:00

IRF7205PBF规格书详情

Description

Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

• Adavanced Process Technology

• Ultra Low On-Resistance

• P-Channel MOSFET

• Surface Mount

• Available in Tape & Reel

• Dynamic dv/dt Rating

• Fast Switching

• Lead-Free

产品属性

  • 型号:

    IRF7205PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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