| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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DIRBCTFETIR |
2265 |
1903 |
全新原装公司现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌DIRBCTFET |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)MG-WDSON-5 |
11177 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRDIRBCTFET |
2233 |
1903 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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IRDIRBCTFET |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MT |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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Infineon/英飞凌MG-WDSON-5 |
8800 |
21+ |
公司只作原装正品 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies |
30000 |
原装现货,支持实单 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRDIRBCTFET |
2265 |
1903 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市中赛美电子科技有限公司8年
留言
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Infineon/英飞凌MG-WDSON-5 |
12700 |
23+ |
买原装认准中赛美 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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IRDIRBCTFET |
5000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)MGWDSON5 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市九方航科技有限公司2年
留言
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Infineon/英飞凌MG-WDSON-5 |
7188 |
23+ |
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
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深圳市华康联电子科技有限公司15年
留言
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IRDIRBCTFET |
20000 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IORBGA |
55200 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
72000 |
2021+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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IRDIRBCTFET |
4326 |
新批次 |
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深圳市富利微电子科技有限公司9年
留言
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Infineon/英飞凌MG-WDSON-5 |
25000 |
23+ |
原装正品,假一赔十! |
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IRF6726MTRPBF价格
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IRF6726MTRPBF资讯
IRF6726MTRPBF
IRF6726MTRPBF主要参数：MOSFET：N通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A（Ta），180A（Tc）不同Id、Vgs时的RdsOn（最大值）：1.7毫欧@32A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：
IRF6726MTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6726MTRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
