| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN |
159856 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONDirectFET-MN |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRQFN |
4800 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN |
4790 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRQFN |
30000 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)MG-WDSON-5 |
11177 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRQFN |
25000 |
23+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONQFN |
4790 |
16+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRPQFN |
17716 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRQFN |
4800 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRQFN |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN |
9865 |
23+/24+ |
原装正品,专业分销中高压MOS管 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRQFN |
3280 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌QFN |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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17432 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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IRSMD |
4870 |
06+ |
全新原装 实单必成 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRSMD |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRFQN |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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只做原装MOSFET |
36520 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0NDirectFET MN |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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IRF6646图片
IRF6646TR1/BKN价格
IRF6646TR1/BKN价格：￥11.7409品牌：International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRF6646TR1/BKN多少钱，想知道IRF6646TR1/BKN价格是多少？参考价：￥11.7409。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF6646TR1/BKN批发价格及采购报价，IRF6646TR1/BKN销售排行榜及行情走势，IRF6646TR1/BKN报价。
IRF6646中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6646功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6646#PBF制造商:International Rectifier 功能描述:PN may be NE DW
IRF6646PBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET
IRF6646TR1功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6646TR1PBF功能描述:MOSFET MOSFT 80V 68A 9.5mOhm 36nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6646TR1PBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 80 V 2.8 W 36 nC Power Mosfet Surface Mount - DirectFET
IRF6646TRPBF功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
