| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IRQFN |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSMD8 |
522 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRDIRECTFET |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRDIRECTFET |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SMD |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRSMD |
6850 |
23+ |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSMD |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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IRSMD |
6542 |
2052+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRSMD |
22621 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3913 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRDirectFET |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRSMD |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRDirectFET |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司7年
留言
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IRDirectFET |
48520 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRSMD |
4800 |
0712+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRSMD |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRDirectFET |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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IRSMD |
4800 |
0712+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRDirectFET |
14400 |
23+ |
IRF6621采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF6621图片
IRF6621TR1价格
IRF6621TR1价格：￥8.3558品牌：International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRF6621TR1多少钱，想知道IRF6621TR1价格是多少？参考价：￥8.3558。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF6621TR1批发价格及采购报价，IRF6621TR1销售排行榜及行情走势，IRF6621TR1报价。
IRF6621中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6621功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6621TR1功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6621TR1PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6621TRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
