| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRQFN |
7906200 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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IRDirectFETtradeIso |
7500 |
07+/08+ |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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InfineonTechnologiesDirectFET?IsometricMX |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOT223 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRDirectFET? Isometric MX |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX |
4800 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDirectFET? Isometric MX |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONDIRECTFET? |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
5679 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IRQFN |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRFDIRECTF |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IR |
65230 |
21+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRQFN |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
IRF6611采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF6611图片
IRF6611TR1价格
IRF6611TR1价格：￥11.4434品牌：International
生产厂家品牌为International的IRF6611TR1多少钱，想知道IRF6611TR1价格是多少？参考价：￥11.4434。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF6611TR1批发价格及采购报价，IRF6611TR1销售排行榜及行情走势，IRF6611TR1报价。
IRF6611TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6611功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6611PBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET
IRF6611TR1功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6611TR1PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6611TRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
