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IRF624S	文件：180.04 Kbytes Page：9 Pages	AvailableinTapeandReel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624S	文件：217.97 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624SPBF	文件：217.97 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624SPBF	文件：1.7542 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •availableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAval	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI624B	文件：666.45 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI624G	文件：170.86 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=1.1ohm,Id=3.4A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI624G	文件：1.38544 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFI624GPBF	文件：1.38544 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFI624GPBF	文件：289.53 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS624A	文件：59.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS624B	文件：264.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS624B	文件：874.76 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW624B	文件：666.45 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
ISP624-R	文件：2.1367 Mbytes Page：3 Pages	LOWINPUTCURRENTPHOTOTRANSISTOOPTICALLYCOUPLEDISOLATORS	ISOCOM Isocom Components 2004 LTD	ISOCOM
KPC624	文件：103.95 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistoftwoGalliumArsenideInfraredEmitting)	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
L624	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules •LowProfile •7DifferentCircuitstoChoosefrom •DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydomCrydom Inc., 快达	crydom
L624F	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules •LowProfile •7DifferentCircuitstoChoosefrom •DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydomCrydom Inc., 快达	crydom
LB-624	文件：312.44 Kbytes Page：2 Pages	PRINTEDCIRCUITTRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
LNK624	文件：1.97002 Mbytes Page：20 Pages	Energy-Efficient,Off-lineSwitcherwithAccuratePrimary-sideConstant-Voltage(CV)ControlPrimary-sideConstant-Voltage(CV)Control DramaticallySimplifiesCVConverters •EliminatesoptocouplerandallsecondaryCVcontrolcircuitry •Eliminatesbiaswindingsupply–ICisselfbiasing AdvancedPerformanceFeatures •Compensatesforexternalcomponenttemperaturevariations •VerytightICparametertolerancesusingprop	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
LNK624DG	文件：1.97002 Mbytes Page：20 Pages	Energy-Efficient,Off-lineSwitcherwithAccuratePrimary-sideConstant-Voltage(CV)ControlPrimary-sideConstant-Voltage(CV)Control DramaticallySimplifiesCVConverters •EliminatesoptocouplerandallsecondaryCVcontrolcircuitry •Eliminatesbiaswindingsupply–ICisselfbiasing AdvancedPerformanceFeatures •Compensatesforexternalcomponenttemperaturevariations •VerytightICparametertolerancesusingprop	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT

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详细参数

型号：
IRF624PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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