| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP8 |
250000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
13900 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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223633 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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13900 |
08+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220AB |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
13900 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
1000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYTO-220AB |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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HARRIS(哈利斯)TO220AB |
6000 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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SECTO220 |
6528 |
2018+ |
承若只做进口原装正品假一赔十! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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SECTO220 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220AB |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
IRF624采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF624图片
IRF624PBF价格
IRF624PBF价格：￥2.6996品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF624PBF多少钱，想知道IRF624PBF价格是多少？参考价：￥2.6996。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF624PBF批发价格及采购报价，IRF624PBF销售排行榜及行情走势，IRF624PBF报价。
IRF624中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF624功能描述:MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF624A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4.1A I(D) | TO-220AB
IRF624B制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRF624B_FP001功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF624L功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF624PBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF624S功能描述:MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF624SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF624STRL功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF624STRR功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
