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IRFR3711Z	文件：336.41 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighFrequencySynchronousBuckConvertersForComputerProcessorPower •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤5.7mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR3711Z	文件：4.21595 Mbytes Page：11 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3711Z	文件：219.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3711Z	文件：223.73 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3711ZCPBF	文件：4.28194 Mbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3711ZCPBF	文件：293.94 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3711ZCPBF	文件：4.28184 Mbytes Page：11 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3711ZPBF	文件：4.25987 Mbytes Page：11 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3711ZPBF	文件：4.25469 Mbytes Page：11 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●Ultra-LowGateImpedance ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecom	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFR3711ZTRL	文件：223.73 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU3711	文件：246.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU3711	文件：239.52 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=20V,Rds(on)max=6.5mohm,Id=110A?? Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersforServerProcessorP	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU3711PBF	文件：236.81 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU3711PBF	文件：237.77 Kbytes Page：11 Pages	HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU3711Z	文件：223.73 Kbytes Page：12 Pages	HighFrequencySynchronousBuckConvertersforComputerProcessorPower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU3711Z	文件：247.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IRF3711ZSPBF
功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 5.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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