| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46180 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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IRTO263 |
12500 |
18+ |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRSOT263 |
16791 |
23+24 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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D2-Pak |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRSOT263 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRD2-Pak |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRD2-Pak |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IRD2-Pak |
32500 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
5788 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
52723 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-pak |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-263 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
IRF3711ZS采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF3711ZS图片
IRF3711ZS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3711ZS功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3711ZSPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3711ZSTRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
