| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
2100 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
20000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
IRTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
64610 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
IR/INFINEONTO-263 |
9600 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
|
InfineonTechnologiesTO-263-3 |
56800 |
19+ |
D2Pak(2Leads+Tab) |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
IRTO-263 |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
|||
|
深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
|
IRTO-263 |
8900 |
22+ |
英瑞芯只做原装正品!!! |
|||
|
深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
|
IRTO-263 |
9600 |
11+ |
||||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
9600 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
IRTO-263 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
IORTO-263 |
2100 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市大联智电子有限公司2年
留言
|
Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
6680 |
2022+ |
原厂原装，欢迎咨询 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
IRF3515STR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF3515STR图片
IRF3515STRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF3515STRL功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3515STRL功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3515STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF3515STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF3515STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3515STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3515STRR功能描述:MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3515STRRPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 41A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 41A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
