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CEB3205	文件：417.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 5V,108.5A,RDS(ON)=8.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET

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详细参数

型号：
IRF3205STRLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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