| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
7550 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO262 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYTO-262 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-262 |
4 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-262 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-262 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYTO-262 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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IRNA/ |
275 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO262 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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IRTO-262 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO262 |
1625 |
21+ |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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IRTO262 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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IRTO262 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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IRTO-262 |
5623 |
22+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRTO-262 |
35000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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IRTO-262 |
11079 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-262 |
35890 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-262 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-262 |
26961 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
IRF1404L采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF1404L图片
IRF1404LPBF价格
IRF1404LPBF价格：￥7.2251品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF1404LPBF多少钱，想知道IRF1404LPBF价格是多少？参考价：￥7.2251。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF1404LPBF批发价格及采购报价，IRF1404LPBF销售排行榜及行情走势，IRF1404LPBF报价。
IRF1404L中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF1404L功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
