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深圳市智连鑫科技有限公司

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IRF1010NSTRRPBF

INFINEON/英飞凌D2PAK

88000

2118+

只做现货

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO-263

177

2024+实力库存

只做原厂渠道 可追溯货源

深圳市高捷芯城科技有限公司

5年 留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK

8357

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市雅芯通科技有限公司

1年 留言
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    曾R

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    深圳市福田区华强北都会B座29S

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INFINEON/英飞凌N/A

5000

24+

只做正品原装现货

深圳市福田区晶康业电子商行

2年 留言
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    肖小姐

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    深圳市福田区华强北街道中航路都会电子城2B019柜,

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IRSOT263

800

20+

全新原装,价格优势

深圳市外芯人半导体有限公司

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INFINEON/英飞凌D2PAK

88000

23+

本司只做原装,可配单

深圳市博浩通科技有限公司

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IRTO-263

9500

23+

专业优势供应

深圳市芯福林电子科技有限公司

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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

13880

21+

公司只售原装,支持实单

易创佳业科技(深圳)有限公司

3年 留言
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    唐先生

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    深圳市龙华区民治街道金地梅龙镇2栋3单元8C

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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

9000

23+

原装正品,支持实单

深圳廊盛科技有限公司

6年 留言
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IRTO252

80000

2022

原装现货,OEM渠道,欢迎咨询

深圳市汇莱威科技有限公司

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VBTO-263

562000

2320+

16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品

深圳市科恒伟业电子有限公司

10年 留言
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IRTO263

6852

1948+

只做原装正品现货!或订货假一赔十!

深圳市汇莱威科技有限公司

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TO-263

68900

VB

原包原标签100%进口原装常备现货!

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO252

265209

假一罚十原包原标签常备现货!

深圳市惊羽科技有限公司

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VISHAY-威世TO-263-3

78800

24+25+/26+27+

1
+:¥10
1000
+:¥10

一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市得捷芯城科技有限公司

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IRNA/

4050

23+

原装现货,当天可交货,原型号开票

深圳市华来深电子有限公司

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    朱先生

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    深圳市福田区上步工业区205栋5A36室/门市部:深圳市福田区华强北路国利大厦新亚洲二期N2B227

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IRTO-263

11846

23+

一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

深圳市河锋鑫科技有限公司

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    深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D

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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市安富世纪电子有限公司

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    深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17E

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Infineon Technologies原装

8000

23+

只做原装现货

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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    陈先生/周小姐

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    深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座A座16层1611室/亚太地区XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一级代理商

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IRF1010NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF1010NSTRRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube