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EG2183	文件：573.49 Kbytes Page：12 Pages	HIgh-PowerMOStubedriverchip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO
HAT2183WP	文件：97.87 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
IR2183STRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
40ns，20ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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更多IR2183STRPBF供应商更新时间2024-5-16 10:56:00

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