选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRDIP-14 |
100000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IR2110PBF,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
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27000 |
23+ |
原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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SOP |
28856 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRDIP-14 |
6400 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IR/INFINEONDIP14 |
6992 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
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INFINEON/英飞凌DIP-8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRDIP-14 |
65400 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEONSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)DIP14 |
20292 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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IRDIP-14 |
8242 |
2231 |
原装正品 价格优势 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONDIP-14 |
6985 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRDIP-14 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌DIP-14 |
3110 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌DIP14 |
4500 |
24+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌DIP-14 |
8890 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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INFINEON/英飞凌DIP-14 |
59000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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INFINEONDIP14 |
20000 |
23+ |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRDIP14 |
40 |
21+ |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONDIP14 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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DIP-14 |
12550 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
IR2110PBF采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IR2110PBF图片
IR2110PBF价格
IR2110PBF价格:¥4.7900品牌:International
生产厂家品牌为International的IR2110PBF多少钱,想知道IR2110PBF价格是多少?参考价:¥4.7900。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IR2110PBF批发价格及采购报价,IR2110PBF销售排行榜及行情走势,IR2110PBF报价。
IR2110PBF资讯
IR2110PBF MOSFET,电桥驱动器 DIP-14 IR 全新原装进口
深圳市勤思达科技有限公司主营MOS管,场效应管,IGBT晶体管,授权分销,现货库存长期供应IR2110PBF,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
IR2110PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IR2110PBF功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr All HiVlt Pins 1 Sd RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IR2110PBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
3.3V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
6V,9.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
2A,2A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
25ns,17ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
14-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:
14-DIP
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP