| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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迈思希姆半导体(江苏)有限公司5年
留言
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InternationalRectifier8-SOICN |
11846 |
1818+ |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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InfineonSOIC-8 |
2500 |
21+ |
保证原装正品 深圳现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
3586 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONSOP8 |
8951 |
23+ |
长期有货,价格优惠,欢迎来电咨询。 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Infineon Technologies8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
26453 |
23+ |
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英飞凌电源管理芯片-原装正品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46580 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IRNA |
30000 |
22+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEONSOP-8 |
57550 |
2022+ |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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Infineon/英飞凌SOIC-8N |
6000 |
2023+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌SOIC-8N |
10000 |
21+ |
原装,品质保证,请来电咨询 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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IRSOIC-8 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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IR原装SOP-8 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
4500 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRSOP8 |
8650 |
23+ |
全新原装现货 热卖优势库存 |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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IR/INFINEONSOP8 |
4915 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
198589 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRSOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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Infine |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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IRSOIC8 |
3095 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
IR2101SPBF采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IR2101SPBF图片
IR2101SPBF价格
IR2101SPBF价格：￥3.3652品牌：International
生产厂家品牌为International的IR2101SPBF多少钱，想知道IR2101SPBF价格是多少？参考价：￥3.3652。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IR2101SPBF批发价格及采购报价，IR2101SPBF销售排行榜及行情走势，IR2101SPBF报价。
IR2101SPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IR2101SPBF功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 130mA 50ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2101SPBF-BL制造商:International Rectifier
产品属性
- 产品编号：
IR2101SPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
210mA，360mA
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
100ns，50ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
