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ISG2015	文件：375.18 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=27A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KIA2015	文件：129.199 Kbytes Page：6 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(RIPPPLEFILTERFOR1.5VHEADPHONESTEREO)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KIA2015FN	文件：129.199 Kbytes Page：6 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(RIPPPLEFILTERFOR1.5VHEADPHONESTEREO)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KIT2015S	文件：239.11 Kbytes Page：3 Pages	null	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KPM2015	文件：1.60013 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTA2015	文件：245.13 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ExcellenthFELinearity :hFE(2)=25(Min.)atVCE=-6V,IC=-400mA. •ComplementarytoKTC4076.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTA2015	文件：94.57 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
KTA2015	文件：516 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ExcellenthFELinearity ComplementarytoKTC4076 APPLICATIONS GeneralPurposeSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
KTA2015	文件：191.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation.(PC=100mW) ●ExcellenthFELinearity. ●ComplementarytoKTC4076. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplicationandswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTA2015	文件：126.42 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-35V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
KTA2015	文件：733.99 Kbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ExcellenthFELinearity ●ComplementarytoKTC4076 APPLICATIONS ●GeneralPurposeSwitching	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
KTA2015	文件：1.53639 Mbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ExcellenthFELinearity ComplementarytoKTC4076 APPLICATIONS GeneralPurposeSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
KTA2015-O	文件：1.04049 Mbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTA2015W	文件：171.48 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation.(PC=100mW) ●ExcellenthFELinearity. ●ComplementarytoKTC4076. ●Smallpackage. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplicationandswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTA2015-Y	文件：1.04049 Mbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
L2015	文件：70.32 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDANDCUSTOM	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
LMP2015	文件：511.53 Kbytes Page：16 Pages	HighPrecision,Rail-to-RailOutputOperationalAmplifier	Intersil Intersil Corporation	Intersil
LPF2015	文件：105.56 Kbytes Page：1 Pages	Shape&Dimensions/RecommendedSolderLandPattern	ABCO ABCO ELECTRONICS CO.LTD	ABCO
LPF2015-C	文件：105.11 Kbytes Page：1 Pages	Shape&Dimensions/RecommendedSolderLandPattern	ABCO ABCO ELECTRONICS CO.LTD	ABCO
LWE2015R	文件：62.41 Kbytes Page：12 Pages	NPNmicrowavepowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorinaSOT446Ametalceramicstudlesspackage. FEATURES •Interdigitatedstructureprovideshighemitterefficiency •DiffusedemitterballastingresistorprovidesexcellentcurrentsharingandwithstandingahighVSWR •Goldm	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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