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IPW90R120C3	文件：563.26 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS Power Transistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •WorldwidebestRDS,oninTO247 •Ultralowgatecharge CoolMOS™900Visdesignedfor: •Quasi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPW90R120C3	文件：323.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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IPW90R120C3

文件：563.26 Kbytes

Page：11 Pages

CoolMOS Power Transistor

Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •WorldwidebestRDS,oninTO247 •Ultralowgatecharge CoolMOS™900Visdesignedfor: •Quasi

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IPW90R120C3

文件：323.97 Kbytes

Page：2 Pages

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
IPW90R120C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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