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IPW60R190P6中文资料PDF规格书

IPW60R190P6
厂商型号

IPW60R190P6

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件大小

2.63097 Mbytes

页面数量

19

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-20 8:10:00

产品属性

  • 型号:

    IPW60R190P6

  • 功能描述:

    MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 190 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
TO-247
89630
当天发货全新原装现货
询价
INFINEON TECHNOLOGIES AG
23+
SMD
918000
明嘉莱只做原装正品现货
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Infineon/英飞凌
PG-TO247-3
6000
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INFINEON
22+
N/A
5000
十年沉淀唯有原装
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INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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PG-TO247-3
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Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-3
8800
公司只作原装正品
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Infineon(英飞凌)
23+
TO2473
6000
询价
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-3
6000
原装现货正品
询价
Infineon(英飞凌)
23+
TO247
19648
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价