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IPP14N03LA	文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
14N03L	文件：960.36 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IPB14N03LA	文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPB14N03LAG	文件：280.58 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPD14N03L	文件：424.48 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature ●N-Channel ●LogicLevel ●LowOn-ResistanceRDS(on) ●ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ●Superiorthermalresistance ●175°Coperatingtemperature ●Avalancherated ●dv/dtrated ●Idealforfastswitchingbuckconverter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPI14N03LA	文件：346.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPU14N03L	文件：109.71 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSPower-TransistorBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
NTD14N03R	文件：65.42 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET14Amps,25VoltsN?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTD14N03R	文件：86.22 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET14Amps,25VoltsN-ChannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTD14N03R	文件：78.63 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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NVD14N03R	文件：78.63 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

型号：
IPP14N03L
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 30A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPP14N03L供应商更新时间2024-4-27 15:44:00

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