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IIPP110N20N3	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPB110N20N3LF	文件：997.29 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3LinearFET,200V Features •Idealforhot-swapande-fuseapplications •Verylowon-resistanceRDS(on) •WidesafeoperatingareaSOA •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Halogen-freeaccordingtoIEC6	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB110N20N3LF	文件：189.22 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI110N20N3	文件：353.4 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI110N20N3G	文件：696.05 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPI110N20N3G	文件：452.77 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC6124	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPI110N20N3G	文件：739.46 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPP110N20N3 G
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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