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09N03	文件：142.69 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=9mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
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DTU09N03S	文件：1.27033 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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更多IPP09N03LAG供应商更新时间2024-5-7 17:05:00

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