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IPB08CNE8NG	文件：462.5 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
IPP08CNE8N G
功能描述：
MOSFET OptiMOS 2 PWR Transt 85V 95A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPP08CNE8N G供应商更新时间2024-6-3 8:30:00

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