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IIPP072N10N3	文件：338.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI072N10N3	文件：305.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI072N10N3G	文件：317.03 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP072N10N3	文件：338.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP072N10N3G	文件：693.81 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET Features N-channel,normallevel Verylowon-resistanceRps(on) 175°Coperatingtemperature Pb-freeleadplating;RoHScompliant Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ps=100V Ip(atVgs=10V)=80A Rps(on)(atVes=10V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
IPP072N10N3G	文件：317.03 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPP072N10N3 G
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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