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详细参数

型号：
IPG20N06S4L26
功能描述：
MOSFET 55V 50mOhm 20Amp
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
55 V
闸/源击穿电压：
20 V
漏极连续电流：
20 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
50 mOhms
配置：
Dual
最大工作温度：
+ 175 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TDSON-8
封装：
Reel

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更多IPG20N06S4L26供应商更新时间2024-6-17 23:00:00

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