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472	文件：127.87 Kbytes Page：5 Pages	3M??AluminumFoilTape427	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
472	文件：209.09 Kbytes Page：1 Pages	THREADEDROUNDSTANDOFF	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
472	文件：255.58 Kbytes Page：3 Pages	PrecisionPotentiometer/PositionSensor	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
472JE	文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
472-SERIES	文件：171.23 Kbytes Page：1 Pages	472SeriesHighSpeedCardEdgeConnectors\|BoardtoBoard0.8mmPitch\|VerticalSMT\|Plug Features LowProfileforSpaceSaving InsertionLoss:DifferentialPairSignaling19Gbps@-3dB Availablein100and150contacts AvailableinVerticalSMTandRightAngleSMT PCIe3.0Compliant Application:Server,DataStorage	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司	EDAC
A472	文件：137.7 Kbytes Page：2 Pages	GASDISCHARGETUBE-9,5x11,5mm	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
A472G	文件：129.55 Kbytes Page：10 Pages	NTCThermistors,LowThermalGradientLugSensors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
AH472M	文件：397.59 Kbytes Page：18 Pages	CERAMICDISCCAPACITORSAFETYRECOGNIZED	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AOD472	文件：917.65 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET FEATURES •TrenchFETPowerMOSFET •175°CMaximumJunctionTemperature •100RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD472	文件：318.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD472	文件：120.21 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD472usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD472isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD472A	文件：158.59 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSDMOSTMPOWERTransistor GeneralDescription •LatestTrenchPowerMOSFETtechnology •VeryLowRDS(on)at4.5VGS •LowGateCharge •HighCurrentCapability •RoHSandHalogen-FreeCompliant Application •DC/DCConvertersinComputing •IsolatedDC/DCConvertersinTelecomandIndustrial ProductSummary VDS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD472A	文件：318.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD472AL	文件：158.59 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSDMOSTMPOWERTransistor GeneralDescription •LatestTrenchPowerMOSFETtechnology •VeryLowRDS(on)at4.5VGS •LowGateCharge •HighCurrentCapability •RoHSandHalogen-FreeCompliant Application •DC/DCConvertersinComputing •IsolatedDC/DCConvertersinTelecomandIndustrial ProductSummary VDS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD472L	文件：120.21 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD472usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOD472isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI472	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI472	文件：330.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI472A	文件：329.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI472A	文件：995.07 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI472A	文件：163.11 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription •LatestTrenchPowerMOSFETtechnology •VeryLowRDS(on)at4.5VGS •LowGateCharge •HighCurrentCapability •RoHSandHalogen-FreeCompliant Application •DC/DCConvertersinComputing •IsolatedDC/DCConvertersinTelecomandIndustrial ProductSummary VDS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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更多IPEC472RIQ供应商更新时间2024-4-28 17:29:00

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