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IPD60R600P6中文资料PDF规格书
IPD60R600P6规格书详情
• DESCRITION
• Fast switching
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.6Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IPD60R600P6
- 功能描述：
MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 600 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
PG-TO252-3 |
6000 |
询价 | ||||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
isc |
2024 |
DPAK/TO-252 |
100 |
国产品牌isc,可替代原装 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO252 |
6688 |
十年老店,原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
原装现货正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
765 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PG-TO252-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
TO-252 |
57550 |
询价 | |||
VB |
2019 |
TO252 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
询价 |
