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IPD135N03L	文件：334.86 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD135N03LG	文件：455.3 Kbytes Page：8 Pages	30V N -Channel MOSFET Features FastswitchingMOSFETforSMPS OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ExcellentgatechargexRpson)product(FOM) Verylowon-resistanceRpson) *Avalancherated	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
IPD135N03LG	文件：536.5 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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135N03L	文件：960.51 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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IPD135N03	文件：455.3 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features FastswitchingMOSFETforSMPS OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ExcellentgatechargexRpson)product(FOM) Verylowon-resistanceRpson) *Avalancherated	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
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详细参数

型号：
IPD135N03L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A 13.5mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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