选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRPG-TO263-3-2 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO263-3-2 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌PG-TO263-3 |
9632 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT263 |
12500 |
21+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-263 |
17444 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
13100 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONP-TO263-3-2 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌P-TO263-3-2 |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7688 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscD2PAK/TO-263 |
50 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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Infineon TechnologiesPG-TO263-3-2 |
7500 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
36100 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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VBsemi/台湾微碧PG-TO263-3-2 |
2051 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO263-3-2 |
57550 |
2022+ |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBPG-TO263-3-2 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INENOISOT263 |
10065 |
23+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TO263-3 |
4326 |
新批次 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
IPB47N10采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IPB47N10图片
IPB47N10SL-26价格
IPB47N10SL-26价格:¥4.6795品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IPB47N10SL-26多少钱,想知道IPB47N10SL-26价格是多少?参考价:¥4.6795。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IPB47N10SL-26批发价格及采购报价,IPB47N10SL-26销售排行榜及行情走势,IPB47N10SL-26报价。
IPB47N10SL26ATMA1中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB47N10S33功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB47N10S-33功能描述:MOSFET SIPMOS PWR-TRNSTR 100V 47A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB47N10S33ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPB47N10SL26功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB47N10SL-26功能描述:MOSFET SIPMOS PWR-TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB47N10SL26ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3