首页 >IPB200N25N3>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

IPB200N25N3

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPB200N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPB200N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPB200N25N3G

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPB200N25N3-G

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPB200N25N3G_10

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IIPP200N25N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPI200N25N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPI200N25N3

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPI200N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPI200N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPI200N25N3G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPI200N25N3-G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPP200N25N3

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=64A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPP200N25N3

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IPP200N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPP200N25N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Id

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPP200N25N3G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

IPP200N25N3-G

OptiMOS3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    IPB200N25N3

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel POWER MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
23+
TO-263
1524
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
询价
原装
24+
标准
44198
热卖原装进口
询价
Infineon
23+
TO263-3
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
询价
Infineon(英飞凌)
22+
N/A
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
Infineon(英飞凌)
23+
TO-263
12316
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
INFINEON
21+
TO-263
8230
询价
INFINEON/英飞凌
23+
TO263-3
10000
公司只做原装正品
询价
Infineon/英飞凌
22+
TO263-3
6000
十年配单,只做原装
询价
Infineon/英飞凌
23+
TO263-3
6000
原装正品,支持实单
询价
INFINEON英飞凌
22+
TO-263
10000
询价
更多IPB200N25N3供应商 更新时间2024-5-29 9:33:00