| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
 |
原装NA |
40088 |
23+ |
|
热卖原装进口 |
|
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-263 |
32048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-263 |
36316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-263 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
|
INFINEONTO-263 |
25000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
|||
|
深圳市英科美电子有限公司9年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-263 |
17450 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
|||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
INFINEONTO-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
INFINEONTO-263 |
9860 |
18+ |
一级代理/全新现货/长期供应! |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
INFINEONTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
|
INENOISOT263 |
12500 |
21+ |
全新原装,价格优势 |
|||
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
INFINEOTO-220 |
20 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
|
INFINEOTO-220 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
INFINEOTO-220 |
20 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
INFINEONNEW |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
INFINEOTO-220 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
|
深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
IPB200N15N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPB200N15N图片
IPB200N15N3G价格
IPB200N15N3G价格：￥6.4578品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IPB200N15N3G多少钱，想知道IPB200N15N3G价格是多少？参考价：￥6.4578。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IPB200N15N3G批发价格及采购报价，IPB200N15N3G销售排行榜及行情走势，IPB200N15N3G报价。
IPB200N15N中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB200N15N3制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Infineon Technologies AG
IPB200N15N3 G功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 150V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB200N15N3G制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 150V 50A OptiMOS3 TO263
IPB200N15N3GATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Cut TR(SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
