| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装NA |
35694 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
15100 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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Infineon(英飞凌)PG-TO263-3 |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
留言
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INFINEON原装SOT-263 |
50000 |
19+ |
全新原装 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌PG-TO263-3 |
29243 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-263 |
16874 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-263 |
1849 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT263 |
3000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-263 |
20000 |
23+ |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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INFINEON/英飞凌N/A |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
27048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
31316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
19000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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INFINEONN/A |
8880 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
8498 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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IPB100N04S4-H2价格
IPB100N04S4-H2价格：￥4.2422品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IPB100N04S4-H2多少钱，想知道IPB100N04S4-H2价格是多少？参考价：￥4.2422。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IPB100N04S4-H2批发价格及采购报价，IPB100N04S4-H2销售排行榜及行情走势，IPB100N04S4-H2报价。
IPB100N04S4H2ATMA1资讯
IPB100N04S4-H2 原装正品现货
INFINEON/英飞凌有单必成
IPB100N04S4H2ATMA1中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB100N04S204功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB100N04S2-04功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB100N04S204ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IPB100N04S2L03功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB100N04S2L-03功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB100N04S2L03ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IPB100N04S303功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB100N04S3-03功能描述:MOSFET N-CH 40 V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB100N04S4-H2功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB100N04S4H2ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
