选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRP-TO263-3 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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infineonto-263/d2-pak |
32500 |
1709+ |
普通 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINE0NTO-263-3 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
55000 |
2019 |
原装进口假一罚十 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
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iscD2PAK/TO-263 |
4250 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
93329 |
22+ |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD2PAK(TO-263AB) |
1000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
93329 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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INFSOT263 |
26680 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINE0NTO-263-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFSOT263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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InfineonD2PAK |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
IPB04N03LB采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IPB04N03LB图片
IPB04N03LB中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB04N03LB功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB04N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB04N03LBG功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube