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CTFCF-331K	文件：205.3 Kbytes Page：1 Pages	FlatCoils-Radial	CTCentral Technologies 中基科技中基科技（香港）有限公司	CT
D331MS	文件：196.01 Kbytes Page：5 Pages	IN-PHASE4-WAYDIVIDERS/COMBINERS,POWERSMA/TYPEN0.5-18GHz	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
DD331	文件：350.85 Kbytes Page：11 Pages	4-ChannelFlexibleLEDPre-Driver	SITISilicon Touch Technology Inc. Silicon Touch Technology Inc.	SITI
DD-331K	文件：21.56 Kbytes Page：1 Pages	MINIATURECONFORMALCOATEDPOWERINDUCTORSERIESDD	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
DNP331	文件：178.76 Kbytes Page：10 Pages	Through-holeIRED/3WideDistributionType	Stanley Stanley Electric Co	Stanley
IRF331	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF331	文件：49.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds •IDSS,VDS(on),SOAandVGS(th)specifiedatElevatedtemperature •Rugged APPLICATIONS •Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcont	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF331	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF331	文件：208.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFS331	文件：265.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K-331	文件：156.16 Kbytes Page：1 Pages	CoilsandChokesforgeneraluse	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默普莱默电子（芜湖）有限公司	PREMO
KA331	文件：49.58 Kbytes Page：6 Pages	V-FConverter Description Thisvoltagetofrequencyconverterprovidestheoutputpulsetrainatafrequencypreciselyproportionaltotheappliedinputvoltage.TheKA331canoperateatpowersuppliesaslowas4.0Vandbechangedoutputfrequencyfrom1Hzto100KHz.Itisideallysuitedforuseinsimplelow	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KA331	文件：173.15 Kbytes Page：8 Pages	V-FConverter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
KDR331	文件：65.88 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERTYPEDIODE(HIGHSPEEDSWITCHING) HIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage:VF=0.25(Typ.)@IF=5mA •SmallPackage:USM.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR331	文件：21.33 Kbytes Page：1 Pages	USMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR331E	文件：25.95 Kbytes Page：1 Pages	ESMPACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR331E	文件：63.94 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERTYPEDIODE(HIGHSPEEDSWITCHING) HIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage:VF=0.25(Typ.)@IF=5mA •SmallPackage:ESM.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR331V	文件：68.05 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERTYPEDIODE HIGHSPEEDSWITCHING. FEATURES •LowForwardVoltage:VF=0.25(Typ.)@IF=5mA •VerySmallPackage:VSM.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDR331V	文件：40.16 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERTYPEDIODE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KM331K	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R.F.MoldedChokes [OhmiteMfg.Co.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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