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293	文件：3.17457 Mbytes Page：11 Pages	CylindricalCase,High-CurrentandHigh-VoltageCircuits Designedforfrequenciesrangingfrom100kHzto3MHz, MicaCapacitorTypes291,292,293and294arewellsuited forhigh-currentandhigh-voltagecircuitslikeradiotransmitters. Castincylindricalcases,thesecapacitorsareelectrically equivalenttoMIL-C-5StylesCM75throughCM93 in	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
293A	文件：70.92 Kbytes Page：2 Pages	SMDAirWoundCoils	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
293A	文件：121.78 Kbytes Page：5 Pages	TapeandReelSpecifications	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
293D	文件：401.3 Kbytes Page：22 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
293D	文件：595.17 Kbytes Page：24 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
293D	文件：160.55 Kbytes Page：13 Pages	SolidTantalumChipCapacitorsTANTAMOUNT,Commercial,SurfaceMount FEATURES •Moldedcaseavailableinsixcasecodes •Terminations:100mattetin,standard,tin/leadavailable •Compatiblewith“HighVolume”automaticpickandplaceequipment •MeetsIECspecificationQC300801/US0001andEIA535BAACmechanicalandperformancerequirements •Moisturesensit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
293D	文件：511.01 Kbytes Page：24 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitorsTANTAMOUNT™,MoldedCase,StandardIndustrialGrade FEATURES •Moldedcaseavailableinsixcasecodes •Terminations:100mattetinstandard, tin/leadavailable •Compatiblewith“highvolume”automatic pickandplaceequipment •MeetsEIA-535-BAACmechanicaland performancerequirements •QualifiedtoEIA-717 •Moisturesensitivityle	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
293x	文件：111.6 Kbytes Page：1 Pages	Laser&detectorchip&TO-canproducts	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AC293	文件：68.61 Kbytes Page：2 Pages	10TO200MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
AC293	文件：176.48 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
ADR293	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293	文件：199.78 Kbytes Page：15 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReferences GENERALDESCRIPTION TheADR290,ADR291andADR292arelownoise,micropowerprecisionvoltagereferencesthatuseanXFET™referencecircuit.ThenewXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandZener-basedreferences.Improvementsinclude:onequarte	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293	文件：993.6 Kbytes Page：32 Pages	UltralowNoise,HighAccuracy	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293	文件：261.98 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293-EP	文件：182.99 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293-EPisalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improv	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293ER	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293ER-REEL	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293ERZ	文件：261.97 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293ERZ-REEL	文件：261.97 Kbytes Page：12 Pages	LowNoise,Micropower5.0VPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR293FR	文件：159.25 Kbytes Page：11 Pages	LowNoiseMicropowerPrecisionVoltageReference GENERALDESCRIPTION TheADR293isalownoise,micropowerprecisionvoltagereferencethatutilizesanXFET®(eXtraimplantedjunctionFET)referencecircuit.TheXFETarchitectureofferssignificantperformanceimprovementsovertraditionalbandgapandburiedZener-basedreferences.Improveme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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更多IP293M供应商更新时间2024-6-19 10:03:00

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