TC275T64F200NDCKXUMA1
进口代理，制造商:Infineon 产品种类:32位微控制器-MCU RoHS:详细信息 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:LQFP-176 核心:TriCore 程序存储器大小:4MB 数据RAM大小:472kB 数据总线宽度:32bit ADC分辨率:12bit 最大时钟频率:200MHz 输入/输出端数量:112I/O 电源电压-最小:1.17V 电源电压-最大:1.43V 最小工作
TPA3116D2DADR
进口代理，制造商:TexasInstruments 产品种类:音频放大器 RoHS:详细信息 系列:TPA3116D2 产品:AudioAmplifiers 类:Class-D 输出功率:50W 安装风格:SMD/SMT 类型:2-ChannelStereo 封装/箱体:HTSSOP-32 音频-负载阻抗:4Ohms THD+噪声:0.1%_ 电源电压-最大:26V 电源电压-最小:4.5V 最
BSS138-7-F
BSS138-7-F，制造商:DiodesIncorporated 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1Channel Vds-漏源极击穿电压:50V Id-连续漏极电流:200mA RdsOn-漏源导通电阻:3.5Ohms Vgs-栅极-源极电压:-20V,+20V Vgsth-栅
TXS02612RTWR
TXS02612RTWR，制造商:TexasInstruments 产品种类:接口-I/O扩展器 RoHS:详细信息 系列:TXS02612 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:WQFN-24 接口类型:Parallel 输入/输出端数量:4I/O 中断输出:WithoutInterrupt 电源电压-最小:1.1V 电源电压-最大:3.6V 最大时钟频率:60MHz 最小工作温度:-40C 最大工作温度
优势出：PIC16F636T-I/SL PIC10F200T-I/OT PIC18F6722T-I/PT MCP6002T-I/SN MCP2517FD-H/SL ATAES132A-SHEQ-T AD7304BRU-REEL7 LT6703HVIS5-2#TRMPBF
优势出：PIC16F636T-I/SLPIC10F200T-I/OTPIC18F6722T-I/PTMCP6002T-I/SNMCP2517FD-H/SLATAES132A-SHEQ-TAD7304BRU-REEL7LT6703HVIS5-2#TRMPBF，PIC16F636T-I/SL是一款微控制器，而不是HDMI转换器。以下是关于PIC16F636T-I/SL微控制器的一般参数、功能和产品应用： 参数： 1.CPU频率：微控制器的中央处理器（CPU）工作频率。 2.
AP63301WU-7
AP63301WU-7，制造商:DiodesIncorporated 产品种类:开关稳压器 RoHS:详细信息 输出电压:800mVto31V 输出电流:3A 输入电压（最大值）:32V 输出端数量:1Output 拓扑结构:Buck 封装/箱体:TSOT-26-6 安装风格:SMD/SMT 开关频率:500kHz 静态电流:22uA 最小工作温度:-40C 最大工作温度:+85C 封装:
MAX5705BAUB+
MAX5705BAUB+，制造商:AnalogDevicesInc. 产品种类:数模转换器-DAC RoHS:详细信息 系列:MAX5705 分辨率:12bit 采样比:- 通道数量:1Channel 稳定时间:6.3us 输出类型:VoltageBuffered 接口类型:3-Wire,Microwire,QSPI,SPI 模拟电源电压:2.7Vto5.5V 数字电源电压:1.8Vto5.5V
IPB320P10LMATMA1晶体管 FET，MOSFET表面贴装型 P 通道 100 V 6.5A（Ta）， 63A（Tc） 3.8W（Ta）
IPB320P10LMATMA1晶体管FET，MOSFET ，零件状态 在售 FET类型 P通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 100V 25°C时电流-连续漏极(Id) 6.5A（Ta），63A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） 32毫欧@54A，10V 不同Id时Vgs(th)（最大值） 2V@5.55mA 不同Vgs时栅
原装全新 支持订货电子元件 CD-HD201
电子元件CD-HD201 ，产品属性属性值选择属性 制造商:Panasonic 产品种类:厚膜电阻器-SMD RoHS:详细信息 系列:ERJ-xGN 电阻:10kOhms 功率额定值:50mW(1/20W) 容差:1%_ 温度系数:200PPM/C 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C 电压额定值:25V 外壳代码-in:0201 外壳代码-mm:0603 应用:Au
电阻器 RC0402FR-074K99L 原装一个起售支持订货
电阻器RC0402FR-074K99L ，产品属性属性值选择属性 制造商:Panasonic 产品种类:厚膜电阻器-SMD RoHS:详细信息 系列:ERJ-xGN 电阻:10kOhms 功率额定值:50mW(1/20W) 容差:1%_ 温度系数:200PPM/C 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C 电压额定值:25V 外壳代码-in:0201 外壳代码-mm:0603
电阻器 RC0402FR-0722KL 电子元器件支持订货
电阻器RC0402FR-0722KL ，产品属性属性值选择属性 制造商:Panasonic 产品种类:厚膜电阻器-SMD RoHS:详细信息 系列:ERJ-xGN 电阻:10kOhms 功率额定值:50mW(1/20W) 容差:1%_ 温度系数:200PPM/C 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C 电压额定值:25V 外壳代码-in:0201 外壳代码-mm:0603
电阻器 ERJ1GNF1002C厚膜电阻器 - SMD原装一个起售顺丰发货
ERJ1GNF1002C，产品属性属性值选择属性 制造商:Panasonic 产品种类:厚膜电阻器-SMD RoHS:详细信息 系列:ERJ-xGN 电阻:10kOhms 功率额定值:50mW(1/20W) 容差:1%_ 温度系数:200PPM/C 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C 电压额定值:25V 外壳代码-in:0201 外壳代码-mm:0603 应用:Auto
MOTIX ™ 160V栅极驱动器
英飞凌科技MOTIX™160V栅极驱动器非常适合用于半桥BLDC电机驱动器。，英飞凌科技MOTIX™160V栅极驱动器非常适合用于半桥BLDC电机驱动器。英飞凌驱动器内置自举二极管，用于高侧电容器。保护功能包括VCC和VB引脚上欠压闭锁。输出驱动器通过高脉冲电流缓冲级最大限度地降低交叉传导。特性_自举电压（VB节点）：+160V_用于自举操作的浮动通道
S25HSxGT和S25HSxGT SEMPER™闪存（带四通道SPI）
英飞凌科技S25HSxGT和S25HSxGTSEMPER™闪存（带四通道SPI）是一种高性能、安全、可靠的NOR闪存解决方案。，英飞凌科技S25HSxGT和S25HSxGTSEMPER™闪存（带四通道SPI）是一种高性能、安全、可靠的NOR闪存解决方案。这些元件集成了用于各种应用的关键安全特性，包括汽车、工业和通信。S25HSxGT和S25HSxGTSEMPER闪存设有四通道SPI接口，支持1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S和4S-4D-4D协议。英飞凌科技S25
SIR578DP-T1-RE3 MOSFET
Vishay的MOSFET采用节省空间的PowerPAK®封装，提供7.3mΩ电阻，VishayTrenchFET®第五代功率MOSFET可为隔离式和非隔离式拓扑提供更高的功率密度和效率。超低导通电阻、高达+175°C的工作温度以及Vishay节省空间的PowerPAK®封装有助于通过键合无引线结构提高板级可靠性。TrenchFET第五代MOSFET改进了FOM，可实现更高效的功率转换。该系列经过100%_RG和UIS测试，符合RoHS标准且不含卤素
MTFC8GAKAJCN-1M WT
进口代理，制造商:MicronTechnology 产品种类:eMMC RoHS:详细信息 系列:MTFC 封装/箱体:VFBGA-153 存储容量:64GB 配置:MLC 顺序读取:190MB/s 顺序写入:22MB/s 接口类型:eMMC5.0 电源电压-最小:2.7V 电源电压-最大:3.6V 最小工作温度:-25C 最大工作温度:+85C 封装:Tray 商标:Micron
MTFC16GAPALBH-IT
进口代理，制造商:MicronTechnology 产品种类:eMMC RoHS:详细信息 系列:MTFC 存储容量:16GB 配置:MLC 顺序读取:320MB/s 顺序写入:60MB/s 接口类型:eMMC5.1 电源电压-最小:2.7V 电源电压-最大:3.6V 最小工作温度:-40C 最大工作温度:+85C 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 安装风格:SM
MTFC8GAMALBH-AAT
进口代理，制造商:MicronTechnology 产品种类:eMMC RoHS:详细信息 系列:MTFC 存储容量:8GB 顺序读取:280MB/s 顺序写入:40MB/s 接口类型:eMMC5.1 电源电压-最小:2.7V 电源电压-最大:3.6V 最小工作温度:-40C 最大工作温度:+105C 封装:Tray 商标:Micron 湿度敏感性:Yes 安装风格:SMD/SMT 产品
C3D06060G模拟器
Wolfspeed为碳化硅电源应用提供了业界最全面的系统级电路模拟器，Wolfspeed的SpeedFit2.0设计模拟器可帮助选择适合设计的SiC产品。可以进行仿真以预测和最小化传导和开关损耗，比较不同的器件和散热配置，并基于实验室数据为常见拓扑生成实验室数据和汇总报告，从简单的降压和升压转换器到具有谐振DC/DC转换器的全双向推拉输出电路PFC。 使用SpeedFit2.0，客户可以快速确定： 适用于应用的产品 不同器件的性能比较 Rg如何改变性能 需要并联
MT41K128M16JT-125 AAT:K
进口代理，制造商:MicronTechnology 产品种类:动态随机存取存储器 RoHS:详细信息 类型:SDRAM-DDR3L 存储容量:2Gbit 数据总线宽度:16bit 最大时钟频率:800MHz 封装/箱体:FBGA-96 组织:128Mx16 访问时间:13.75ns 电源电压-最小:1.283V 电源电压-最大:1.45V 最小工作温度:-40C 最大工作温度:+105C
优势出：BFT92W,115 S9KEAZN8AMTGR FS32K142HFT0MLHT FS32K144HFT0MLH TJA1042T/1J R5F100ACASP#30 STM8S005K6T6C VND5E160AJTR-E O3854AQDCARQ1
优势出：BFT92W,115S9KEAZN8AMTGRFS32K142HFT0MLHTFS32K144HFT0MLHTJA1042T/1JR5F100ACASP#30STM8S005K6T6CVND5E160AJTR-EO3854AQDCARQ1，BFT92W,115 S9KEAZN8AMTGR FS32K142HFT0MLHT FS32K144HFT0MLH TJA1042T/1J R5F100ACASP#30 STM8S005K6T6C VND5E160AJTR-E O
GRM1555C1H220JA01D 电容器 MURATA
GRM1555C1H220JA01D电容器MURATA ，产品属性属性值选择属性 制造商:Murata 产品种类:多层陶瓷电容器MLCC-SMD/SMT RoHS:详细信息 电容:100pF 电压额定值DC:50VDC 电介质:C0G(NP0) 容差:5%_ 外壳代码-in:0201 外壳代码-mm:0603 高度:0.3mm(0.012in) 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C
GRM0335C1H101JA01D 电子元件 MURATA
GRM0335C1H101JA01D电子元件MURATA ，产品属性属性值选择属性 制造商:Murata 产品种类:多层陶瓷电容器MLCC-SMD/SMT RoHS:详细信息 电容:100pF 电压额定值DC:50VDC 电介质:C0G(NP0) 容差:5%_ 外壳代码-in:0201 外壳代码-mm:0603 高度:0.3mm(0.012in) 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125
MCR03EZPFX1002 电阻器 ROHM
MCR03EZPFX1002电阻器ROHM ，BAV99LT1G二极管 CC0402JRNPO9BN680电容器 43030-0002端子 SVH-21T-P1.1端子 GCM1555C1H101JA16D电容器 RC0402JR-0711KL电阻器 50351-8000端子 MMBT3904-7-F三极管 1924968-2端子 LMBD7000LT1G二极管 SVF-61T-P2.0端子 BC847B,215三极管 64323-1029端子 1N
RC0603FR-074K99L 电阻器电子期间支持订货
RC0603FR-074K99L电阻器 ，SCN-001T-1.0K端子 RC0402JR-07200KL电阻器 BLM18PG121SN1D滤波器 GRM033R60J474KE90D电容器 RC0603FR-074K99L电阻器 1N4148W-7-F二极管 50398-8000端子 BAT54S-7-F二极管 RC0603JR-07100RL电子元件 35745-0410端子 969028-2端子 BC850CLT1G三极管 171631-1端子
