SI2304BDS-T1-GE3 单N 沟道30V 0.07Ohm 0.75W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装3，000
FET 型MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C2.6A
Rds（最大）@ ID，VGS70 mOhm @ 2.5A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS4nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的225pF @ 15V
功率 - 最大750mW
安装类型Surface Mount
包/盒TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)
包装材料Tape & Reel (TR)
包装3SOT-23
通道模式Enhancement
最大漏源电压30 V
最大连续漏极电流2.6 A
RDS -于70@10V mOhm
最大门源电压±20 V
典型导通延迟时间7.5 ns
典型上升时间12.5 ns
典型关闭延迟时间19 ns
典型下降时间15 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
最大门源电压±20
包装宽度1.4(Max)
PCB3
最大功率耗散750
最大漏源电压30
欧盟RoHS指令Compliant
最大漏源电阻70@10V
每个芯片的元件数1
最低工作温度-55
供应商封装形式SOT-23
标准包装名称SOT-23
最高工作温度150
渠道类型N
包装长度3.04(Max)
引脚数3
包装高度1.02(Max)
最大连续漏极电流2.6
封装Tape and_Reel
铅形状Gull-wing
单位包0
最小起订量1
FET特点Logic Level Gate
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C2.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id3V @ 250μA
供应商设备封装SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS70 mOhm @ 2.5A， 10V
FET型MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大750mW
漏极至源极电压（Vdss）30V
输入电容（Ciss ） @ VDS225pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS4nC @ 5V
封装/外壳TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
其他名称SI2304BDS-T1-GE3CT
工厂包装数量3000
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
配置Single
源极击穿电压+/- 20 V
连续漏极电流2.6 A
安装风格SMD/SMT
RDS（ON）70 mOhms
功率耗散750 mW
最低工作温度- 55 C
封装/外壳TO-236-3
零件号别名SI2304BDS-GE3
上升时间12.5 ns
最高工作温度+ 150 C
漏源击穿电压30 V
RoHSRoHS Compliant
下降时间12.5 ns
Continuous Drain Current Id:3.2A
Drain Source Voltage Vds:30V
On Resistance Rds(on):105mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:20V
8月22日消息，高通CEO莫伦科夫近日接受媒体采访时感叹，中国在5G部署方面的进展非常惊人。
莫伦科夫表示，我认为中国正在加速5G的部署，预计今年年底前，中国会部署大约10万个5G基站，非常了不起。
莫伦科夫称，以往的新科技浪潮，都是由美日韩这些国家引领，中国通常会晚个5年甚至10年，但这次他们第一年就推出了。
莫伦科夫还谈到，技术的进步令他感到兴奋，每个人、每个公司都想争第一。这种竞争是全球性的，科技公司都在思考如何才能在技术变革中受益。
本月早些时候，中国铁塔董事长佟吉禄在中期业绩发布会上表示，目前已经接到运营商关于5G(基站)的建设需求6.5万个，今年建设主要是通过现有的铁塔改造实现，预计全年我们会接到10万个基站的建设需求。
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