制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1 kV

Id-连续漏极电流: 30 A

Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 735 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: HyperFET

封装: Tube

高度: 21.34 mm

长度: 16.13 mm

系列: IXFX30N100

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.21 mm

商标: IXYS

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 14 ns

工厂包装数量: 30

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 60 ns

典型接通延迟时间: 22 ns

单位重量: 1.600 g