NTR1P02LT1G ON 20 V 220 mOhm 440 mW MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23优势产品原装现货进口热卖

NTR1P02LT1G产品详细规格

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS） 20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 1.3A

Rds（最大）@ ID，VGS 220 mOhm @ 750mA， 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id 1.25V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 5.5nC @ 4V

输入电容（Ciss）@ Vds的 225pF @ 5V

功率 - 最大 400mW

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

渠道类型 P

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 20 V

最大连续漏极电流 1.3 A

RDS -于 220@4.5V mOhm

最大门源电压 ±12 V

典型导通延迟时间 7 ns

典型上升时间 15 ns

典型关闭延迟时间 18 ns

典型下降时间 20 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Cut Tape

标准包装 Tape & Reel

最大门源电压 ±12

包装宽度 1.3

PCB 3

最大功率耗散 400

最大漏源电压 20

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 220@4.5V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

最高工作温度 150

包装长度 2.9

引脚数 3

包装高度 0.94

最大连续漏极电流 1.3

封装 Tape and_Reel

铅形状 Gull-wing

FET特点 Logic Level Gate

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 1.3A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.25V @ 250μA

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

其他名称 NTR1P02LT1GOSTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 220 mOhm @ 750mA， 4.5V

FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 400mW

漏极至源极电压（Vdss） 20V

输入电容（Ciss ） @ VDS 225pF @ 5V

闸电荷（Qg ） @ VGS 5.5nC @ 4V

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量 3000

产品种类 MOSFET

晶体管极性 P-Channel

配置 Single

源极击穿电压 +/- 12 V

连续漏极电流 - 1.3 A

安装风格 SMD/SMT

RDS（ON） 220 mOhms

功率耗散 0.4 W

最低工作温度 - 55 C

上升时间 15 ns

最高工作温度 + 150 C

漏源击穿电压 - 20 V

RoHS RoHS Compliant

下降时间 15 ns

漏极电流（最大值） 1.3 A

频率（最大） Not Required MHz

栅源电压（最大值） ?12 V

输出功率（最大） Not Required W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.22 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

包装类型 SOT-23

极性 P

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_ 漏源导通电压 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No