型号：STW20NM60FD

品牌:ST

参数说明：

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 290 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 37nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 214W（Tc）

工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247-3

深圳市中意法电子科技有限公司

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