NTR4502PT1G ON 20 V 80 mOhm 1.25W MOSFET-SOT-23优势原装现货

Rohs Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009

标准包装 3，000

FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

FET特点 Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS） 20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.2A

Rds（最大）@ ID，VGS 80 mOhm @ 3.6A， 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id 1.2V @ 250μA

栅极电荷（Qg）@ VGS 6nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的 200pF @ 10V

功率 - 最大 1.25W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 20 V

最大连续漏极电流 3.2 A

RDS -于 80@4.5V mOhm

最大门源电压 ±12 V

典型导通延迟时间 6.5 ns

典型关闭延迟时间 12 ns

典型下降时间 3 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

最大门源电压 ±12

欧盟RoHS指令 Compliant

最高工作温度 150

标准包装名称 SOT-23

最低工作温度 -55

渠道类型 N

封装 Tape and_Reel

最大漏源电阻 80@4.5V

最大漏源电压 20

每个芯片的元件数 1

供应商封装形式 SOT-23

最大功率耗散 1250

最大连续漏极电流 3.2

引脚数 3

铅形状 Gull-wing

FET特点 Logic Level Gate， 2.5V Drive

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.2A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.2V @ 250μA

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

其他名称 NTR4501NT1GOSTR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS 80 mOhm @ 3.6A， 4.5V

FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide

功率 - 最大 1.25W

漏极至源极电压（Vdss） 20V

输入电容（Ciss ） @ VDS 200pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS 6nC @ 4.5V

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

类别 Power MOSFET

配置 Single

外形尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm

身高 0.94mm

长度 2.9mm

最大漏源电阻 0.08 Ω

最高工作温度 +150 °C

最大功率耗散 1.25 W

最低工作温度 -55 °C

包装类型 SOT-23

典型栅极电荷@ VGS 2.4 nC V @ 4.5

典型输入电容@ VDS 200 pF V @ 10

宽度 1.3mm

漏极电流（最大值） 3.2 A

频率（最大） Not Required MHz

栅源电压（最大值） ?12 V

输出功率（最大） Not Required W

功率耗散 1.25 W

噪声系数 Not Required dB

漏源导通电阻 0.08 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏极效率 Not Required %_

漏源导通电压 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

连续漏极电流 3.2 A

晶体管极性 :N Channel

Continuous Drain Current Id :3.2A

Drain Source Voltage Vds :20V

On Resistance Rds(on) :80mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V

Threshold Voltage Vgs :1.2V

功耗 :1.25W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :MSL 1 - Unlimited

SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)

Current Id Max :3.2A

工作温度范围 :-55°C to +150°C

端接类型 :SMD

Voltage Vds Typ :20V

Voltage Vgs Max :1.2V

Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V

Weight (kg) 0.000008

鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。

主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。

公司:鑫锐电子(香港)有限公司

联系人:姚小姐

手机:13725590222

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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。

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NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G

NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1GNTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G

据日经新闻亚洲评论报导，该消息人士表示，长鑫还无法完全消除威胁，其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新设计能够降低威胁，避免触及美国的知识产权。

　　长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月还曾前往欧洲，与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作，并访问了比利时的IMEC，这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见，长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。

　　据了解，长鑫在合肥投资80亿美元建造了一家晶圆厂，预计将于今年年底前投产。其中一位消息人士指出，长鑫最初每月将生产约10，000片晶圆，虽然需要经历某种学习曲线，但长鑫计划在今年年底之前获得一些产出。

　　不过，根据长鑫去年透露DRAM项目5年规划，该公司计划在2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。