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类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Littelfuse Inc.
FET 类型 N 沟道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1700V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V,20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 2A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 20V
Vgs(最大值) +22V,-6V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
功率耗散(最大值) 54W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3L
封装/外壳 TO-247-3
Littelfuse 的 LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 为传统的硅基功率晶体管器件提供了有益的替代方案。与类似额定值的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 相比,MOSFET 器件结构可实现更低的每周期开关损耗和更高的轻载效率。
由于其固有的材料特性,该 SiC MOSFET 在阻断电压、比导通电阻和结电容方面优于其 Si MOSFET 对应产品。
特性
采用 TO-247-3L 封装,额定 1,700 V,1Ω
用于高频开关的低栅极电阻
在所有温度下正常关闭操作
功率密度更高
冷却要求更低
优势
每周期开关损耗更低
针对高频高效应用进行了优化
极低栅极电荷和输出电容
轻载效率更高
可能降低系统整体成本
应用
电动汽车 (EV) 基础设施
工业机械
开关模式/不间断电源 (UPS)
数据中心和云基础架构
车外 EV 充电器
电机驱动器
高压 DC/DC 转换器
太阳能逆变器
LSIC1MO170E1000
深圳市烨弘轩电子有限公司,我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务,竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
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