深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-8254549813538016218QQ:531398920朱先生
数据列表 SPP/SPI/SPA15N60C3
标准包装 500
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET,MOSFET-单
系列 CoolMOS??
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) 15A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 280毫欧@9.4A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.9V@675μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 63nC@10V
Vgs(最大值) ±20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1660pF@25V
FET功能 -
功率耗散(最大值) 34W(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-FP
封装/外壳 TO-220-3整包