深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-8254549813538016218QQ：531398920朱先生

数据列表 STP110N8F6

标准包装 50

包装 管件

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管-FET，MOSFET-单

系列 STripFET?F6

规格

FET类型 N沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 80V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） 110A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 6.5毫欧@55A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） 4.5V@250μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 150nC@10V

Vgs（最大值） ±20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 9130pF@40V

FET功能 -

功率耗散（最大值） 200W（Tc）

工作温度 -55°C~175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220

封装/外壳 TO-220-3