BSC067N06LS3G英飞凌MOSFET管原厂代理优势现货供应！

规格

FET类型 N沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） 15A（Ta），50A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 6.7毫欧@50A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） 2.2V@35μA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 67nC@10V

Vgs（最大值） ±20V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 5100pF@30V

FET功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），69W（Tc）

工作温度 -55°C~150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TDSON-8

封装/外壳 8-PowerTDFN

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