SVF4N65N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术
制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动
特点：
?4A，650V，RDS(on)（典型值）2.5Ω@VGS10V
?低栅极电荷量
?低反向传输电容
?开关速度快
?提升了dv/dt能力
SVF4N65F士兰微进口原装现货长期供应
2018-9-27 9:58:00
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