FEATURES • Halogen-free Option Available • TrenchFET® Power MOSFETs • Very Small Footprint • High-Side Switching • Low On-Resistance: N-Channel, 1.40 Ω P-Channel, 4 Ω • Low Threshold: ± 2 V (typ.) • Fast Switching Speed: 15 ns (typ.) • Gate-Source ESD Protected: 2000 V

BENEFITS • Ease in Driving Switches • Low Offset (Error) Voltage • Low-Voltage Operation • High-Speed Circuits APPLICATIONS • Replace Digital Transistor, Level-Shifter • Battery Operated Systems • Power Supply Converter Circuits

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批号：无铅环保

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