KSE350 晶体管类型 PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 300V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） -

电流 - 集电极截止（最大值） 100µA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 50mA，10V

功率 - 最大值 20W

频率 - 跃迁 -

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装 TO-126-3

KSE340 晶体管类型 NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 300V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） -

电流 - 集电极截止（最大值） 100µA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 50mA，10V

功率 - 最大值 20W

频率 - 跃迁 -

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3

供应商器件封装 TO-126-3

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