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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 7 A

Rds On-漏源导通电阻: 22 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single Quad Drain Triple Source

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

系列: BSO220N03

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.9 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 3.4 ns

湿度敏感性: Yes

Pd-功率耗散: 1.56 W

上升时间: 2.8 ns

工厂包装数量: 2500

典型关闭延迟时间: 6.2 ns

典型接通延迟时间: 5.7 ns

零件号别名: BSO220N03MSGXUMA1

单位重量: 540 mg