BT137-600E 600V 8A TO220AB 双向可控硅 BT137-600E 厂家 数量 封装 详细中文参数

2017-12-5 10:13:00
  • 型号:BT137-600E 厂家:NXP Semiconductors/恩智浦半导体 产品描述:分立半导体产品 晶闸管 可控硅 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB 产品种类: 双向可控硅 不重复通态电流: 71 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 600 V Gate Trigger Voltage - Vgt: 1.5 V Gate Trigger Current - Igt: 25 mA 安装风格: Throu

型号:BT137-600E

厂家:NXP Semiconductors/恩智浦半导体

产品描述:分立半导体产品 晶闸管 可控硅

TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB

产品种类: 双向可控硅

不重复通态电流: 71 A

额定重复关闭状态电压 VDRM: 600 V

Gate Trigger Voltage - Vgt: 1.5 V

Gate Trigger Current - Igt: 25 mA

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 0.1 mA

开启状态电压: 1.65 V

保持电流Ih最大值: 20 mA

品牌: NXP Semiconductors

封装: Tube/管装

工厂最小包装数量: 50

其他名称:

BT137-600E,127

单价:面议

数量:18960

备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应 分立半导体产品 BT137-600E

可控硅 BT137-600E,品质保证,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

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